- Visión General
- Descripción del producto
Información Básica.
No. de Modelo.
OST40N120HMF -1
Modelo
PC817
Número De Lote
2010 +
Marca
Orimental
descripción
pérdida de conmutación extremadamente baja
características
excelente estabilidad y uniformidad
aplicaciones
alimentación del pc
industrias
iluminación led
Paquete de Transporte
Air
Marca Comercial
Orientalsemiconductor
Origen
China
Código del HS
854129000
Capacidad de Producción
20K/Monthly
Descripción de Producto
Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.La serie Z de GreenMOS® está integrada con diodo de recuperación rápida (FRD) para minimizar el tiempo de recuperación inversa. Es adecuado para topologías de conmutación resonantes para alcanzar una mayor eficiencia, mayor fiabilidad y un factor de forma más pequeño.
Características
- RDS (ON) Y FOM BAJOS
- Pérdida de conmutación extremadamente baja
- Excelente estabilidad y uniformidad
- Diodo de cuerpo ultrarrápido y robusto
Aplicaciones
- Alimentación del PC
- Energía de telecomunicaciones
- Potencia del servidor
- Cargador EV
- Controlador de motor
Parámetros clave de rendimiento
| Parámetro | Valor | Unidad |
| VDS, mín. A TJ (máx.) | 650 | V |
| ID, pulso | 240 | R |
| RDS(ON), MÁX. A VGS=10V | 30 | MΩ |
| P. | 178 | NC |
Información de marcado
| Nombre del producto | Paquete | Marcado |
| OSG60R030HZF | TO247 | OSG60R030HZ |
Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
Características térmicas
Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Tensión de la fuente de drenaje | VDS | 600 | V |
| Tensión de la fuente de la puerta | VGS | ±30 | V |
| Drenaje continuo current1), TC=25 °C. | ID | 80 | R |
| Drenaje continuo current1), TC=100 °C. | 50 | ||
| Drenaje pulsado current2), TC=25 °C. | ID, pulso | 240 | R |
| Diodo continuo hacia adelante current1), TC=25 °C. | ES | 80 | R |
| Diodo pulsado current2), TC=25 °C. | ES, pulso | 240 | R |
| Potencia dissipation3), TC=25 °C. | PD | 480 | W |
| Avalancha por impulsos sencilla energy5) | EAS | 2500 | MJ |
| Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V. | dv/dt | 50 | V/ns |
| Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
| Temperatura de funcionamiento y almacenamiento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C |
Características térmicas
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Resistencia térmica, caja de conexiones | RθJC | 0,26 | °C/W |
| Resistencia térmica, empalme-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Tensión de ruptura de la fuente de drenaje | BVDSS | 600 | V | VGS=0 V, ID=1 MA | ||
| Tensión de umbral de puerta | VGS(TH) | 3,0 | 4,5 | V | VDS=VGS, ID=2 MA, | |
Fuente de drenaje resistencia en estado | RDS (ACTIVADO) | 0,028 | 0,030 | Ω | VGS=10 V, ID=40 A. | |
| 0,058 | VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C. | |||||
| Corriente de fuga de la fuente de inyección | IGS | 100 | Na | VGS=30 V. | ||
| -100 | VGS=-30 V. | |||||
| Corriente de fuga de la fuente de drenaje | IDSS | 10 | μA | VDS=600 V, VGS=0 V. | ||
| Resistencia de la compuerta | RG | 2,1 | Ω | ƒ=1 MHz, drenaje abierto |
Características dinámicas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Capacitancia de entrada | CISS | 9343 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz | ||
| Capacitancia de salida | COSS | 708 | PF | |||
| Capacitancia de transferencia inversa | CRSs | 15 | PF | |||
| Capacitancia de salida efectiva, relacionada con la energía | Co(er) | 345 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V. | ||
| Capacitancia de salida efectiva, relacionada con el tiempo | Co(tr) | 1913 | PF | |||
| Tiempo de retardo de encendido | td (activado) | 52,1 | no | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A | ||
| Tiempo de subida | tr | 105,2 | no | |||
| Tiempo de retardo de apagado | td (desactivado) | 125,7 | no | |||
| Tiempo de caída | tf | 4,1 | no |
Características de carga de puerta
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Carga total de la puerta | P. | 177,9 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A | ||
| Cargo por fuente de inyección | QGS | 37,4 | NC | |||
| Carga de drenaje de la compuerta | Qgd | 78,4 | NC | |||
| Tensión de meseta de la puerta | VPlateau | 6,2 | V |
Características del diodo corporal
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Tensión de avance del diodo | VSD | 1,4 | V | IS=80 A, VGS=0 V. | ||
| Invertir tiempo de recuperación | trr | 186,6 | no | ES=40 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carga de recuperación inversa | QRR | 1,6 | μC | |||
| Corriente de recuperación inversa pico | Irrm | 15,4 | R |
Nota
- Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
- Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
- PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
- VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, TJ inicial=25 °C.
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Esto se puede discutir en función de la situación real de la orden.
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